半導體製程競賽進入白熱化階段！Intel（英特爾）近日宣布，已在美國俄勒岡州的 Fab D1X 研發中心完成 ASML 最新曝光系統 TWINSCAN EXE:5200B 的安裝 。這不僅是全球首套、也是目前最先進的「第二代」高數值孔徑（High-NA）EUV 曝光機，更被視為 Intel 14A 製程（相當於 1.4 奈米）能否如期量產的關鍵神兵利器 。
從研發邁向量產：EXE:5200B 效能大提升
Intel 早在 2023 年底就搶先同業接收了首套第一代 High-NA EUV 機型 EXE:5000，並在俄勒岡州工廠完成早期技術研發與人才儲備 。相比之下，這次落地的 EXE:5200B 則在生產力與精度上實現了質的飛躍，更具備大規模生產的特徵 。
這套新系統的關鍵數據非常驚人：
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產能大升級：在標準條件下，每小時可處理 175 片晶圓 。
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挑戰極限：Intel 計畫透過進一步調整，將產出率推高至每小時 200 片晶圓以上 。
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精度突破：憑藉過去一年多的使用經驗，新系統的套疊精度（Overlay Accuracy）已達到 0.7nm 。
彎道超車？Intel 的 14A 豪賭
Intel 指出，High-NA EUV 曝光設備是其晶圓代工藍圖中的核心競爭力 。透過結合自身在光罩、蝕刻、解析度增強及檢測計量等領域的技術優勢，能達成當今晶片所需的更精細電晶體細節 。
雖然 High-NA EUV 機台造價昂貴（單台成本預估超過 3 億美元，約新台幣 97 億元），但 Intel 搶先與 ASML 合作證實了該設備的技術可行性，為未來大規模製造（HVM）奠定了穩固基礎 。這項舉動顯然是為了在 1.4 奈米世代重新奪回製程領先者的地位。
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