Ações da Intel Corporation (INTC): produção de risco 18A-P impulsiona roteiro de fundição

TLDR

• A Intel sobe 3,05% com a 18A-P a entrar em produção de risco na VLSI.
• A INTC valoriza com a Intel Foundry a confirmar o progresso do roteiro 18A-P.
• A Intel 18A-P acrescenta ganhos em energia, desempenho e flexibilidade de design.
• A Intel delineia trabalho de escalonamento de chips em CFET, GaN e ruténio.
• A atualização da Intel Foundry apoia as ações da INTC após uma negociação volátil.

As ações da Intel Corporation (INTC) avançaram para 120,61, uma subida de 3,05%, após uma sessão agitada ter terminado com uma recuperação sólida. O título caiu no início, mas recuperou terreno posteriormente e estabilizou perto das máximas intradiárias. O movimento seguiu-se às novas atualizações da Intel Foundry no Simpósio VLSI 2026.

Intel Corporation, INTC

A Intel 18A-P entra em produção de risco

A Intel Foundry afirmou que a Intel 18A-P entrou em produção de risco, cumprindo o calendário partilhado com os clientes no ano passado. A atualização marcou a primeira melhoria de desempenho dentro da família de processos Intel 18A. Reforçou também a mensagem da Intel sobre a execução a longo prazo da sua foundry.

A empresa apresentou a Intel 18A-P como uma atualização compatível com o design da Intel 18A. Graças a essa compatibilidade, os clientes podem reutilizar a propriedade intelectual e os fluxos de design existentes. Esta abordagem pode reduzir a fricção à medida que os designers de chips avançam para o processo melhorado.

A Intel afirmou que a 18A-P oferece um desempenho 9% superior com o mesmo consumo de energia. Oferece também 18% menos energia com o mesmo nível de desempenho. Entretanto, o processo acrescenta melhores funcionalidades térmicas e opções de design mais amplas.

As atualizações de processo suportam ganhos de desempenho e energia

A Intel introduziu o Power Boost, uma opção de transístor de duplo contacto para a Intel 18A-P. A funcionalidade reduz a resistência, aumenta a corrente de condução e suporta frequências mais elevadas com a mesma capacitância. Consequentemente, os designers ganham mais uma via para melhorar o desempenho dos chips.

A empresa reportou também uma resistência térmica 20% a 40% melhor. A Intel citou uma resistência via 10% a 30% melhor através de alterações de materiais e geometria. Estas atualizações visam o fluxo de calor, o fornecimento de energia e o movimento de sinal entre as camadas do chip.

A Intel acrescentou ainda novas opções de transístores de baixo consumo e alto desempenho. Incluiu um quinto par de limiar de tensão lógica entre ULVT e LVT. Assim, os designers obtêm maior flexibilidade ao equilibrar velocidade, energia e eficiência.

As apresentações na VLSI acrescentam contexto a longo prazo

A Intel utilizou o evento VLSI para ligar a 18A-P ao trabalho anterior na Intel 18A. A empresa trouxe ao mercado transístores gate-all-around e entrega de energia pelo lado posterior no ano passado. Essas tecnologias suportam agora as próximas melhorias de processo e planos de escalonamento futuros.

A Intel apresentou investigação que mostra uma redução de 11% na área roteada e uma queda de tensão dinâmica 10 vezes inferior. A empresa afirmou que esses ganhos podem suportar até 6% de frequência mais elevada. Podem também permitir mais de 15% de energia dinâmica inferior em comparação com tecnologia frontside comparável.

A Intel mostrou ainda investigação a mais longo prazo em CFET, integração de GaN e interligação de ruténio. O seu trabalho em CFET empilhou dispositivos NMOS e PMOS num passo de gate de 45nm. Entretanto, os estudos sobre GaN e ruténio visaram a gestão de energia, o escalonamento de interligações e a eficiência futura dos chips.

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